产品型号：UT3409L-AE3-R-VB
丝印：VB2290
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大电压：-20V
- 最大电流：-4A
- 开启电阻：RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压：Vth=-0.81V

应用简介：
UT3409L-AE3-R-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道MOSFET，适用于一些要求较低电压和适度电流的应用。其低开启电阻和P—Channel沟道的特性使其在一些小功率电子设备中表现卓越。

示例应用领域：
1. 低功耗电子设备：由于器件具有P—Channel沟道和较低的开启电阻，适合在低功耗设备中使用，如便携式电子产品。
2. 信号开关：可用于一些需要控制信号通断的场合，如信号开关模块。
3. 电源管理：适用于一些需要P—Channel沟道的电源管理模块，提供稳定的电源输出。

请注意，具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。