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UT2301L-AE3-R-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
详细参数说明:
- 产品型号:UT2301L-AE3-R-VB
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大工作电流:-4A
- 沟道内阻:RDS(ON)=57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

应用简介:
UT2301L-AE3-R-VB是一款P-Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管,适用于多种电子设备和模块,具有以下特性和应用:

1. **电源管理模块:** 由于其负向工作电压和适中的沟道内阻,UT2301L-AE3-R-VB适用于负电源管理、开关和调节模块,提高电源管理系统的效率和可靠性。

2. **负载开关:** 在需要实现负载开关的电路中,UT2301L-AE3-R-VB可用于实现快速、精确的负载切换操作,保持系统稳定。

3. **电池保护模块:** 由于其P-Channel设计,可用于电池保护电路,防止电池过放电。

4. **LED照明系统:** 可用于负电源LED照明系统的电流控制和调节,确保稳定的亮度。

请注意,具体的应用需要结合电路设计和系统要求进行详细评估。

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