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ST3413S23RG-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**ST3413S23RG-VB 详细参数说明:**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大承受电压:-20V
- 最大漏电流:-4A
- 开态电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V

**应用简介:**

ST3413S23RG-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管,适用于多种电子模块和应用场景。

**适用领域和模块举例:**

1. **电源模块:** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性,ST3413S23RG-VB适用于电源开关和调节模块,能有效降低功耗和提高效率。

2. **电流控制模块:** 在需要对电流进行精确控制的应用中,如电机驱动和LED照明控制,该器件可以提供可靠的性能。

3. **信号放大器:** 在某些信号放大和驱动电路中,ST3413S23RG-VB可以被用于实现信号的放大和驱动,其低阈值电压有助于灵活的电路设计。

总的来说,这款器件在需要P—Channel沟道和低功耗的场合下,特别适用于电源、电流控制和信号放大等模块的设计与应用。

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