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SSM3J317T-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
VBsemi SSM3J317T-VB 产品详细参数及应用简介:

**参数说明:**
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大漏极电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 门-源阈值电压:Vth = -0.81V

**应用简介:**
SSM3J317T-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管。具有低漏电流、低导通电阻等特性,适用于多种电源控制和开关应用。

**典型应用领域及模块示例:**
1. **电源管理模块:** 由于其低漏电流和低导通电阻的特性,SSM3J317T-VB可广泛应用于电源管理模块,如开关电源、电池管理系统等。

2. **电流控制模块:** 在需要精准电流控制的场景中,该器件可作为关键元件,例如电流源、电流控制电路等。

3. **信号开关模块:** 由于其P—Channel沟道特性,适用于需要高效信号开关的模块,如信号选择器、音频开关等。

总体而言,SSM3J317T-VB在电源管理、电流控制和信号开关等领域中发挥着重要作用,为这些模块提供可靠的性能。

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