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SQ2360EES-T1-GE3-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**VBsemi SQ2360EES-T1-GE3-VB**

- **详细参数说明:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大耐压: 60V
- 最大电流: 4A
- 开态电阻(RDS(ON)):
- 85mΩ @ VGS=10V
- 85mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 1~3V

- **应用简介:**
- 适用于高性能电源管理、开关电源和功率放大应用。
- 具有较低的开态电阻,适用于对效率和功率密度要求较高的设计。

- **示例应用:**
1. **电源适配器模块:**
- 用于电源适配器输出端,提供高效的电源。

2. **开关电源模块:**
- 适用于构建高效的开关电源、DC-DC变换器。

3. **电机驱动模块:**
- 由于其N—Channel沟道和较低开态电阻,可用于电机驱动。

4. **功率放大器模块:**
- 在功率放大电路中,可用于提供高效能耗的放大。

- **其他说明:**
- 丝印: VB1695
- 品牌: VBsemi

**注意:** 在实际应用中,请查看详细的规格书,以确保器件符合您的电路设计要求。

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