SQ2301ES-T1-GE3-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，具有以下详细参数：

- 封装：SOT23
- 工作电压：-20V
- 静态电流：-4A
- 开通电阻：57mΩ（在VGS=4.5V、VGS=12V时）
- 阈值电压：-0.81V

应用简介：
SQ2301ES-T1-GE3-VB适用于需要P—Channel MOSFET的电路设计。其SOT23封装和优越的电性能使其在电源管理、放大器和开关电路等应用中表现出色。

举例说明：
1. **电源管理模块：** SQ2301ES-T1-GE3-VB可用于电池管理系统，有效控制电池充放电，适用于便携式设备和智能手持终端。

2. **放大器设计：** 在音频放大器电路中，SQ2301ES-T1-GE3-VB可作为功率开关，有助于实现高效的功率放大，特别适用于便携式音响设备。

3. **开关电路：** 作为开关元件，SQ2301ES-T1-GE3-VB可用于开关电源、DC-DC转换器等模块，提高电路效率，适用于各种便携式电子产品。

总体而言，SQ2301ES-T1-GE3-VB适用于多种需要P—Channel MOSFET的电路设计，为模块提供高效、紧凑的解决方案。