**产品型号：** RQK0606KGDQATL-E-VB

**丝印：** VB1695

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N—Channel
- 最大耐压：60V
- 最大电流：4A
- 开通电阻：RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=1~3V

**封装：** SOT23

**产品应用简介：**
RQK0606KGDQATL-E-VB是一款SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET，具有60V最大耐压、4A最大电流和低的开通电阻。该器件适用于各种应用场景，特别是在需要控制电流、降低功耗的电子系统中表现优越。

**应用领域举例：**
1. **电源模块：** 由于其较低的开通电阻和高电流特性，适用于电源模块，有助于提高整体功率效率。
2. **电机驱动：** 可用于电机驱动模块，帮助实现精确的电机控制和高效的能量转换。
3. **电源开关：** 用作电源开关，有助于提高开关电源的性能和效率。

总体而言，RQK0606KGDQATL-E-VB适用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子系统和模块，包括但不限于电源、电机控制和开关电源等领域。