### 详细参数说明：

**型号：** RQK0604IGDQATL-E-VB
**丝印：** VB1695
**品牌：** VBsemi
**封装：** SOT23
**参数：**
- 沟道类型：N—Channel
- 最大耐压：60V
- 额定电流：4A
- 导通电阻：RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=1~3V

### 应用简介：

RQK0604IGDQATL-E-VB是一款N—Channel沟道型MOSFET，由VBsemi品牌推出，采用SOT23封装。具有60V的最大耐压，4A的额定电流，以及优异的导通电阻(RDS(ON))性能。阈值电压(Vth)在1~3V范围内，适用于多种电路控制需求。

### 适用领域和模块举例：

1. **电源管理模块：** 由于器件具有较高的最大耐压和适度的额定电流，可用于电源管理模块，例如稳压器和开关电源，以提供可靠的电源输出。

2. **电机驱动模块：** 4A的额定电流使其适用于小型电机的驱动，例如电动工具、风扇和其他电动设备。

3. **LED照明控制：** 低导通电阻和N—Channel沟道特性使其成为LED照明控制模块的理想选择，以确保高效的能量转换。

4. **电池管理：** 在需要电池管理的应用中，例如便携式电子设备，RQK0604IGDQATL-E-VB可用于设计电池充放电管理模块，以提高电池使用效率。

总体而言，RQK0604IGDQATL-E-VB适用于多个领域，特别是在需要高效电源管理和小型封装的应用中，能够提供可靠的性能。