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QM2411K-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**QM2411K-VB**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 开态电阻(RDS(ON)):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V

- **封装:** SOT23

**详细参数说明:**
QM2411K-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应管。其最大电压为-20V,最大电流为-4A,具有低开态电阻(RDS(ON))为57mΩ(在VGS=4.5V, VGS=12V时),阈值电压(Vth)为-0.81V。

**应用简介:**
这款器件适用于需要P—Channel沟道的应用,尤其在要求低电阻和高效能的场合下表现出色。其SOT23封装使得它在空间受限的环境中易于集成。

**应用领域和示例:**
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性,QM2411K-VB常被用于电源开关模块,有效管理电源供应。

2. **电流控制模块:** 适用于电流控制电路,如电流源和电流调节器,可在这些模块中提供可靠的性能。

3. **驱动器模块:** 在需要P—Channel沟道的驱动器模块中,QM2411K-VB可以用于有效地控制和驱动负载。

以上只是一些例子,具体的应用取决于项目的具体要求和设计目标。

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