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MI2303-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
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VBsemi MI2303-VB是SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其参数包括最大工作电压-20V,最大电流-4A,导通电阻RDS(ON)为57mΩ(在VGS=4.5V和VGS=12V时),阈值电压Vth为-0.81V。

**应用简介:**
适用于低电压、低功耗的电源管理系统,特别是在便携设备、无线通信模块和电池供电系统中具有优势。也可用于功率开关、电源逆变器等应用。

**举例:**
1. **便携设备模块:** 由于低阈值电压和低导通电阻,MI2303-VB适合用于便携设备的电源管理模块,提供高效能源转换。

2. **无线通信模块:** 在无线通信设备的电源管理中,该晶体管可用于功率开关,帮助实现高效能耗。

3. **电池供电系统:** 由于低功耗特性,MI2303-VB适用于电池供电系统,延长电池寿命,提高系统稳定性。

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