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LBSS84LT1G-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
产品型号:LBSS84LT1G-VB

丝印:VB264K

品牌:VBsemi

参数:
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-60V
- 最大电流:-0.5A
- 导通电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):-1.87V

封装:SOT23

应用简介:
LBSS84LT1G-VB是一款P沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。其主要特点包括在10V和20V的情况下具有适中的导通电阻(RDS(ON)为3000mΩ)和适用于-60V的最大电压。阈值电压为-1.87V,适用于低电压控制的应用场景。

适用领域和模块举例:
1. **电源管理模块:** LBSS84LT1G-VB的P沟道特性和适中的电压范围使其适合用于电源管理模块,提供高效的电源开关控制。

2. **低功耗电子设备:** 由于其低功耗和适中的电流特性,LBSS84LT1G-VB可用于低功耗电子设备,如便携式电子产品。

3. **放大器输入级:** 在放大器电路中,LBSS84LT1G-VB可作为输入级的开关元件,用于信号放大电路的控制。

4. **电流源:** 在一些需要精确电流控制的电路中,LBSS84LT1G-VB可以作为电流源,提供稳定的电流输出。

总体而言,LBSS84LT1G-VB适用于需要高效能耗控制和适中导通电阻的场景,广泛用于电源管理、低功耗电子设备、放大器电路和电流源等领域。

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