**VBsemi J461A-T1B-AT-VB MOSFET**

**详细参数说明：**
- 品牌: VBsemi
- 产品型号: J461A-T1B-AT-VB
- 封装: SOT23
- 极性: P—Channel
- 最大漏极电压（VDS）: -60V
- 最大漏极电流（ID）: -0.5A
- 导通电阻（RDS(ON)）: 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）: -1.87V

**应用简介：**
J461A-T1B-AT-VB是一款P—Channel类型的MOSFET，广泛适用于多种电路设计和应用场景。其低漏极电阻和适中漏极电流使其在不同领域中发挥出色。

**适用领域和模块示例：**
1. **电源开关模块：** 由于J461A-T1B-AT-VB的P—Channel沟道特性，可用于电源开关控制，提高电源模块的效率和可靠性。

2. **放大器前端：** 在音频放大器等放大电路中，J461A-T1B-AT-VB可作为关断开关，帮助实现对信号的精确控制。

3. **电流源：** 适用于需要P—Channel MOSFET的电流控制电路，例如电流源电路。

4. **逆变器和开关电源：** 可用于逆变器和开关电源中，协助实现电能的转换和管理。

请根据具体电路设计需求和参数匹配，选择合适的应用领域和模块。