**详细参数说明：**
- 产品型号: FDN8601-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB1102M
- 封装: SOT23
- 沟道类型: N—Channel
- 最大耐压: 100V
- 最大电流: 2A
- RDS(ON): 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 2V

**应用简介：**
FDN8601-VB是VBsemi生产的N—Channel沟道SOT23封装MOSFET。具有较高的最大耐压、适度最大电流和适中的导通电阻（RDS(ON)）特性。适用于多个领域和模块，包括：

1. **电源开关：** 由于其N—Channel沟道的特性，可用于电源开关模块，提供高效率的功率开关控制。

2. **电源逆变器：** 在需要逆变器的应用中，FDN8601-VB可以用作开关装置，确保高效的能量转换。

3. **LED驱动：** 适用于LED照明驱动电路，提供高效的电流控制，确保稳定的亮度和长寿命。

4. **电池保护：** 在电池管理系统中，FDN8601-VB可用于电流控制和电池保护，确保电池充电和放电的安全性。

确保在使用前详细查阅产品手册和规格，以确保正确的应用和性能。