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DMP2225L-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**DMP2225L-VB**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-20V
- 额定电流:-4A
- 导通电阻:RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压:Vth = -0.81V

**封装:** SOT23

**应用简介:**
DMP2225L-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其特性包括低导通电阻、适用于-20V的额定电压、-4A的额定电流,以及在不同门源电压下的性能表现。

**适用领域和模块示例:**
1. **电源开关模块:** 由于低导通电阻和适中的额定电压,DMP2225L-VB可用于电源开关模块,提高功率转换效率。

2. **电池保护:** 在需要P—Channel MOSFET的电池保护模块中,通过控制电流和电压,实现对电池的有效保护。

3. **信号放大器:** 用于需要P—Channel MOSFET的信号放大器模块,有助于实现信号调节和放大。

请根据具体电路设计和参数匹配选择合适的应用领域。

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