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CPH3422-TL-E-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
### 详细参数说明:

**型号:** CPH3422-TL-E-VB
**丝印:** VB1695
**品牌:** VBsemi
**封装:** SOT23
**参数:**
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:60V
- 额定电流:4A
- 导通电阻:RDS(ON)=85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=1~3V

### 应用简介:

该器件采用SOT23封装,属于N—Channel沟道类型,具有60V的最大耐压,适用于在低电压和中功率应用中发挥作用。其4A的额定电流和低导通电阻(RDS(ON)),表明其在电流较大的情况下仍能保持较低的功耗。阈值电压(Vth)在1~3V范围内,可满足多种控制电路的需求。

### 适用领域和模块举例:

1. **电源管理模块:** 由于器件具有较高的最大耐压和适度的额定电流,可用于电源管理模块,如稳压器和开关电源,以提供稳定的电源输出。

2. **电机驱动模块:** 4A的额定电流使其适用于小型电机的驱动模块,例如电动工具、风扇和其他电动设备。

3. **LED照明控制:** 低导通电阻和N-Channel沟道特性使其成为LED照明控制模块的理想选择,以确保高效的能量转换。

4. **低功耗电子设备:** 由于阈值电压较低,可在低功耗电子设备中使用,例如便携式电子产品和传感器接口模块。

总体而言,CPH3422-TL-E-VB适用于多种领域,特别是在需要高效能耗管理和小型封装的应用中,能够提供可靠的性能。

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