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CPH3326-TL-E-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**CPH3326-TL-E-VB 详细参数说明:**

- **型号:** CPH3326-TL-E-VB
- **丝印:** VB2101K
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-100V
- 最大工作电流:-1.5A
- 开通电阻:RDS(ON)=500mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=-2.5V

- **封装:** SOT23

**应用简介:**

CPH3326-TL-E-VB 是 VBsemi 生产的 P—Channel 沟道场效应晶体管,适用于各种电子设备和模块。其 SOT23 封装适用于空间受限的环境,具有高电压容忍度和可靠的性能。

**适用领域和模块举例:**

1. **电源逆变器:** 由于 CPH3326-TL-E-VB 具有高电压容忍度和低开通电阻,可用于电源逆变器中,确保高效能的能量转换。

2. **电源开关模块:** 在需要可靠的电源开关性能的应用中,如工业设备和通信设备,CPH3326-TL-E-VB 提供了稳定和高效的解决方案。

3. **电动车充电系统:** 适用于电动车充电系统,能够在高电压条件下提供可靠的电源管理和控制。

总体而言,CPH3326-TL-E-VB 在需要 P—Channel 沟道场效应晶体管的电子模块中表现卓越,特别适用于电源逆变器、电源开关和电动车充电系统等领域。

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