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AP2325GEN-HF-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号: AP2325GEN-HF-VB

丝印: VB2290

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -20V
- 额定电流: -4A
- 开通电阻: RDS(ON) = 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压: Vth = -0.81V

封装: SOT23

详细参数说明和应用简介:

该器件采用SOT23封装,为P-Channel沟道类型,具有-20V的额定电压和-4A的额定电流。在VGS为4.5V和VGS为12V时,其开通电阻为57mΩ,阈值电压为-0.81V。以下是该产品的详细参数说明和应用简介:

**应用简介:**

1. **电源管理模块:**
适用于电源管理模块中的负载开关,有助于提高系统的功率效率。可用于电源开关、DC-DC转换器等模块。

2. **电流控制模块:**
在需要P-Channel MOSFET进行电流控制的应用中,例如电流源、电流限制器等模块。

3. **电池保护模块:**
由于其低阈值电压和低开通电阻,可用于电池保护电路,实现对电池的精确控制。

4. **开关电源模块:**
适用于开关电源中的负载开关,有助于提高开关电源的效能和性能。

5. **信号开关模块:**
在需要P-Channel沟道进行信号开关的电路中,例如模拟开关、信号选择器等模块。

通过该器件的多功能特性,可广泛应用于电源管理、电流控制、电池保护、开关电源以及信号开关等领域,为各种模块提供高性能和可靠性的解决方案。

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