**产品型号：** 2SJ461-T2B-A-VB

**丝印：** VB264K

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-60V
- 额定电流：-0.5A
- 开态电阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1.87V

**封装：**
- SOT23

**详细参数说明和应用简介：**

2SJ461-T2B-A-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管，采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介：

- **沟道类型：** P—Channel，适用于需要P型场效应晶体管的电路设计。

- **额定电压：** -60V，适合在电路中处理较低电压范围的应用。

- **额定电流：** -0.5A，适用于低电流要求的电子设备。

- **开态电阻：** RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，具有较低的导通电阻，有助于减小功耗。

- **阈值电压：** Vth=-1.87V，提供可靠的门控特性。

**适用领域和模块举例：**

该产品适用于各种需要P—Channel沟道场效应晶体管的电子设备和电路设计，例如：

1. **电源管理模块：** 由于其适用于较低电压范围，可用于电源管理模块中，帮助实现有效的电源控制。

2. **信号放大器：** 在一些信号放大器电路中，P—Channel沟道场效应晶体管可以用于特定的信号处理要求。

3. **低功耗设备：** 由于其低功耗特性，可应用于需要降低功耗的电子设备中。

请注意，具体应用需根据电路设计和要求来选择合适的场效应晶体管。