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2SJ203-T1B-A-VB一款SOT23封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**详细参数说明:**

**型号:** 2SJ203-T1B-A-VB
**丝印:** VB264K
**品牌:** VBsemi
**参数:**
- 封装类型: SOT23
- 沟道类型: P—Channel
- 最大承受电压: -60V
- 最大电流: -0.5A
- 开通电阻(RDS(ON)): 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): -1.87V

**应用简介:**

2SJ203-T1B-A-VB是一款SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种电路设计。

**适用领域和模块示例:**
1. **低功耗电源模块:**
- **用途:** 适用于低功耗电源管理模块。
- **示例应用:** 便携设备、电池供电设备。

2. **信号放大模块:**
- **用途:** 可用于低功耗信号放大和调节。
- **示例应用:** 传感器接口、精密测量设备。

3. **负载开关模块:**
- **用途:** 适用于负载开关控制。
- **示例应用:** 负载开关电源、电池管理模块。

4. **放大器模块:**
- **用途:** 可用于低功耗放大器设计。
- **示例应用:** 低功耗放大器、音频放大器。

**注意:** 在具体应用中,请根据电路需求和设计规范精选和配置元器件。

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