**详细参数说明：**
- 产品型号: 2329S--SOT23-3-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB2101K
- 封装: SOT23
- 沟道类型: P—Channel
- 最大耐压: -100V
- 最大电流: -1.5A
- RDS(ON): 500mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): -2.5V

**应用简介：**
2329S--SOT23-3-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道SOT23封装MOSFET。具有较高的最大耐压、适度最大电流和适中的导通电阻（RDS(ON)）特性。适用于多个领域和模块，包括：

1. **低功耗电子设备：** 由于其低电流和适中的导通电阻，适用于对功耗要求较低的电子设备，如传感器、小型移动设备等。

2. **电源开关：** 在需要较高耐压和适度电流的电源开关模块中，2329S--SOT23-3-VB可以提供可靠的性能。

3. **电池保护：** 适用于电池管理系统，确保在充电和放电时提供可靠的电流控制。

4. **信号开关：** 在需要P—Channel沟道的信号开关电路中，2329S--SOT23-3-VB可提供高效的信号控制。

确保在使用前详细查阅产品手册和规格，以确保正确的应用和性能。