产品参数：
### 详细参数说明
| 参数 | 数值 | 单位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封装类型 | SOT23-3 | |
| 配置 | 单 N 沟道 | |
| 漏源电压 (VDS) | 100 | V |
| 栅源电压 (VGS) | 20 (±) | V |
| 阈值电压 (Vth) | 1.5 | V |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3000 | mΩ |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 2800 | mΩ |
| 漏极电流 (ID) | 0.26 | A |
| 技术 | 沟道 | |
领域和模块应用：
### 应用领域和模块示例
2SK1591-T1B-A-VB MOSFET 适用于多个领域和模块，主要包括以下几个方面：
1. **低功率开关**：在需要控制低功率设备的开关电路中，如 LED 灯控制、小型电机驱动等，2SK1591-T1B-A-VB 的低阈值电压和低漏源电压特性非常适用。
2. **电源管理**：在低电压电源管理中，如便携式设备和电池供电系统中，该型号可以用作开关或调节器，提供稳定的电源输出。
3. **信号放大**：在需要放大信号的电路中，2SK1591-T1B-A-VB 可以作为信号放大器的关键部件，提供稳定的信号放大功能。
4. **电池保护**：在需要保护电池免受过电流和过电压的影响的电路中，该型号可以用作保护开关，确保电池处于安全状态。
这些示例展示了 2SK1591-T1B-A-VB 在各种低功率和低电压应用中的灵活性和实用性，使其成为许多设计师的理想选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
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