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2SK1399-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

### 2SK1399-T1B-A-VB 产品简介

2SK1399-T1B-A-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。它具有60V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的栅极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth),采用Trench技术,适用于低功率应用。

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产品参数:

### 2SK1399-T1B-A-VB 详细参数说明

- **型号:2SK1399-T1B-A-VB**
- **封装:SOT23-3**
- **极性:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):60V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):0.3A**
- **技术:Trench**

领域和模块应用:


### 适用领域和模块

1. **移动设备**
- **应用实例**:由于2SK1399-T1B-A-VB 具有低导通电阻和低功率特性,适合用于移动设备中的电源管理和电路控制。

2. **低功率电子设备**
- **应用实例**:在各种低功率电子设备中,如电子玩具、便携式计算机等,2SK1399-T1B-A-VB 可用作开关元件,确保设备的高效能和长寿命。

3. **传感器接口**
- **应用实例**:在传感器接口电路中,2SK1399-T1B-A-VB 可以用作开关元件,确保传感器和控制器之间的稳定通信。

4. **医疗设备**
- **应用实例**:在低功率医疗设备中,如便携式监护仪、医疗传感器等,2SK1399-T1B-A-VB 可用作关键元件,确保设备的可靠性和稳定性。

通过这些应用实例,可以看出 2SK1399-T1B-A-VB 在低功率电子设备和电路中的广泛应用,展示了其在低功率管理和控制领域中的重要性和实用性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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