推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

2N7002LLG-AE2-R-VB 产品详细

产品简介:

### 产品简介

2N7002LLG-AE2-R-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,由VBsemi提供。该器件具有60V的漏极-源极电压,适用于低功率应用。采用了Trench技术,提供了可靠的性能和稳定性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

### 详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**:60V
- **栅源极电压 (VGS)**:±20V
- **栅阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 3100mΩ @ VGS=4.5V
- 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:



### 应用领域和模块

2N7002LLG-AE2-R-VB MOSFET 在多个领域和模块中具有广泛的应用,以下是一些典型的应用示例:

1. **电路保护**:
由于其单N沟道配置,该器件适用于电路保护应用,如过压保护、过流保护等。

2. **信号开关**:
在低功率信号开关中,2N7002LLG-AE2-R-VB 可以用作信号开关器件,帮助实现信号的传输和控制。

3. **电池管理**:
在电池管理系统中,该MOSFET 可以用于充放电控制电路中的开关器件,实现对电池的有效管理。

4. **LED驱动**:
该器件适用于LED驱动电路中的开关器件,帮助提供稳定的LED灯光输出。

5. **传感器接口**:
2N7002LLG-AE2-R-VB 可以用作传感器接口电路中的开关器件,实现传感器数据的传输和控制。

以上应用示例展示了2N7002LLG-AE2-R-VB 的多功能性和适用性,使其成为各种低功率电子系统中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询