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2N7002K-7-F-VB 产品详细

产品简介:

### 产品简介详

**VBsemi 2N7002K-7-F-VB SOT23-3** 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用槽沟道(Trench)技术制造。该器件具有低漏极电阻和低门限电压,适用于低压开关和电源管理应用。


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产品参数:

### 详细参数说明

- **型号**:2N7002K-7-F-VB
- **封装**:SOT23-3
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **门限电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:3100mΩ @ VGS=4.5V, 2800mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:0.3A
- **技术**:槽沟道 (Trench)

领域和模块应用:


### 适用领域和模块

**1. 小功率开关**
2N7002K-7-F-VB SOT23-3 MOSFET适用于小功率开关电路,例如电源开关和信号开关。其低导通电阻和低门限电压使其成为小功率应用的理想选择。

**2. 电源管理**
在一些低功率电源管理模块中,这款MOSFET可以用于DC-DC转换器和开关电源。其低漏极电阻有助于提高模块的效率和性能。

**3. 电子设备**
2N7002K-7-F-VB MOSFET可用于电子设备中的低压开关电路,例如手机、平板电脑和便携式电子设备。其小尺寸和低功率特性使其适合集成到小型电子设备中。

**4. LED驱动**
在LED驱动电路中,这款MOSFET可以用作开关器件,控制LED的开关状态。其低功率特性有助于减少功耗并延长LED灯具的寿命。

**5. 模拟电路**
在一些需要控制信号的模拟电路中,2N7002K-7-F-VB可以用作开关器件,控制信号的通断。其低导通电阻和低门限电压使其适合于这些应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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