产品参数:
型号:KD3422A-VB
丝印:VBB1630
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:5.5A
- 导通电阻(RDS(ON)):30mΩ @ 10V, 36mΩ @ 4.5V, ±20Vgs
- 阈值电压(Vth):1~3V
- 封装:SOT23-3L
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **电源开关模块**:
- 由于其N沟道MOSFET的特性,KD3422A-VB适用于电源开关模块,可用于功率开关和电源管理。
- 在便携式电子设备、电池管理系统、充电器和适配器中用于实现高效的电能转换和管理。
2. **负载开关模块**:
- 该MOSFET的低导通电阻和高电流承受能力使其成为负载开关模块的理想选择。
- 在LED照明、电机控制、工业自动化等领域中用于高效的负载开关控制。
3. **电源管理模块**:
- KD3422A-VB可用于功率管理模块,实现电路的功率控制和管理。
- 在各种电子设备中用于优化功率分配和降低待机功耗。
4. **电池保护模块**:
- 该MOSFET可用于电池保护模块,用于控制和保护锂电池等电池的充电和放电。
- 在便携式电子设备、电池组装设备、电动工具中用于保护电池免受过充和过放的损害。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性