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AP2311N-VB 产品详细

产品简介:


应用简介:
AP2311N-VB 是一款适用于SOT23-3封装的P-Channel沟道场效应晶体管。其特性包括负载电压高、电流大,适用于多种电路和模块应用。由于其高额定电压和低阈值电压,该器件常用于需要高性能、高可靠性的电子设备中,如电源逆变器、开关电源、电机驱动等。

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产品参数:

AP2311N-VB 丝印:VB2658 品牌:VBsemi 参数:SOT23-3;P—Channel沟道,-60V;-5.2A;RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,
--VGS=±20V;Vth=-2V 封装:SOT23-3

详细参数说明:
- 型号:AP2311N-VB
- 丝印:VB2658
- 品牌:VBsemi
- 参数:
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-5.2A
- 开启电阻:40mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压:-2V

领域和模块应用:

举例说明:
AP2311N-VB 可广泛应用于电源逆变器、工业电机驱动、电源管理模块等领域。在功率电子模块中,它可以用于设计高性能、高效率的电源系统,以及其他需要稳定、可靠的电流开关控制的应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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