产品简介：
应用简介：
SQ2361EES-T1-GE3-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道MOSFET，适用于一些需要较高电压和电流的应用场合。其低开启电阻和P—Channel沟道的特性使其在一些中功率电子设备中表现出色。
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产品参数：
产品型号：SQ2361EES-T1-GE3-VB
丝印：VB2658
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大电压：-60V
- 最大电流：-5.2A
- 开启电阻：RDS(ON)=40mΩ@VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压：Vth=-2V
领域和模块应用：
示例应用领域：
1. 电源开关：适用于中功率电源开关模块，能够提供可靠的电源开关功能。
2. 电机驱动：可用于驱动中功率电机，提供高效的电机控制。
3. 电源逆变器：适合用于一些需要逆变功能的电源逆变器模块。
请注意，具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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