产品简介：
该产品适用于需要P—Channel MOSFET的低功耗电源管理、信号开关和电流调节等领域。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P |
-100V |
±20V |
-2V |
-1.5A |
|
560(mΩ) |
500(mΩ) |
|
2SJ211-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道MOSFET，采用SOT23-3封装。
**参数说明：**
- 类型：P—Channel沟道MOSFET
- 最大耐压：-100V
- 最大电流：-1.5A
- 开启电阻（RDS(ON)）：500mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压（Vth）：-2.5V
- **封装：**
- 类型：SOT23-3
领域和模块应用：
**适用领域和模块举例：**
1. **适用领域：** 由于是P—Channel沟道MOSFET，通常用于低功耗电源管理、信号开关和电流调节等领域。
2. **模块应用举例：**
- **低功耗电源：** 2SJ211-VB可应用于低功耗电源模块，适用于便携设备等领域。
- **信号开关：** 在信号开关电路中，可用于控制信号的开关。
- **电流调节：** 适用于需要进行电流调节的电路模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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