产品简介：
应用简介：
J211-T1B-A-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道MOSFET，适用于一些需要较高电压和低电流的应用场合。其特点在于较高的最大电压，适合一些对电压要求较高的电子设备。
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产品参数：
产品型号：J211-T1B-A-VB
丝印：VB2101K
品牌：VBsemi
参数：
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大电压：-100V
- 最大电流：-1.5A
- 开启电阻：RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压：Vth=-2.5V
领域和模块应用：
示例应用领域：
1. 电源开关：适用于中低功率电源开关模块，要求较高电压的场合。
2. LED照明控制：可用于LED照明驱动模块，提供高电压的驱动能力。
3. 汽车电子：适合一些汽车电子模块，特别是对电压要求较高的应用。
请注意，具体的应用要根据实际电路设计需求进行确认。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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