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2329S--SOT23-3-VB 产品详细

产品简介:


**应用简介:**
2329S--SOT23-3-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道SOT23-3封装MOSFET。具有较高的最大耐压、适度最大电流和适中的导通电阻(RDS(ON))特性。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 产品型号: 2329S--SOT23-3-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB2101K
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大耐压: -100V
- 最大电流: -1.5A
- RDS(ON): 500mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压 (Vth): -2.5V

领域和模块应用:

适用于多个领域和模块,包括:

1. **低功耗电子设备:** 由于其低电流和适中的导通电阻,适用于对功耗要求较低的电子设备,如传感器、小型移动设备等。

2. **电源开关:** 在需要较高耐压和适度电流的电源开关模块中,2329S--SOT23-3-VB可以提供可靠的性能。

3. **电池保护:** 适用于电池管理系统,确保在充电和放电时提供可靠的电流控制。

4. **信号开关:** 在需要P—Channel沟道的信号开关电路中,2329S--SOT23-3-VB可提供高效的信号控制。

确保在使用前详细查阅产品手册和规格,以确保正确的应用和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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