产品简介：
应用简介:
这款MMBF170LT1G MOSFET是一款低功率N沟道MOSFET，适用于低功率应用场景。它具有较低的工作电流和较高的额定电压，适用于低功率开关和功率转换的应用。
MMBF170LT1G MOSFET适用于需要低功率N沟道MOSFET的各种应用场景，特别适用于低功率应用的模块。
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产品参数：
型号: MMBF170LT1G
丝印: VB162K
品牌: VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型: N沟道
- 额定电压(VDS): 60V
- 额定电流(ID): 0.3A
- 开通电阻(RDS(ON)): 2800mΩ@10V, 3000mΩ@4.5V
- 阈值电压(Vth): 1.6V
- 封装类型: SOT23-3
领域和模块应用：
这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：
- 电池管理模块：用于低功率电池充放电保护、电池管理系统等低功率电池应用。
- 小功率开关模块：用于低功率开关电路、低功率开关控制等低功率应用。
- 照明模块：用于低功率LED驱动、照明开关和控制电路等。
- 消费电子模块：用于低功率消费电子产品中的功率管理和开关模块。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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