产品简介:
应用简介:
LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET,适用于各种电源管理和低功率应用。它具有较低的额定电流和较高的额定电压特性。
通过控制±20Vgs (±V)的门源电压,可以实现开关管的导通和截止,实现电流的控制和开关状态的转换。其较高的导通电阻意味着在较低的电流下进行操作。
LBSS139LT1G是一款N沟道MOSFET,适用于电源管理和低功率应用。适用于低功率领域的电路,如电源管理、信号处理和低功耗控制电路等领域。
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产品参数:
LBSS139LT1G详细参数说明:
- 极性:N沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:0.3A
- 导通电阻:2800mΩ @ 10V, 3000mΩ @ 4.5V
- 门源电压:±20Vgs (±V)
- 阈值电压:1.6Vth (V)
- 封装类型:SOT23-3
领域和模块应用:
LBSS139LT1G采用SOT23-3封装,适用于各种电路板和模块中使用。
该器件主要应用于低功率领域,例如电源管理、信号处理以及一些低功耗的控制电路中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持:
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