产品简介：
**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** SOT23-3，表明该器件使用SOT23-3封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** N-Channel，指示这是一个N沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** 60V，说明器件能够正常工作的最大电压。
4. **最大电流 (Maximum Current):** 0.3A，表示器件能够承受的最大电流。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = 1.6V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。
2N7002E-VB是一款小功率N-Channel MOSFET
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产品参数：
型号: 2N7002E-VB
丝印: VB162K
品牌: VBsemi
参数:
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 60V
- 最大电流: 0.3A
- 开态电阻: RDS(ON) = 2800mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V
封装: SOT23-3
领域和模块应用：
适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **开关电源:** 由于其小功率特性，适用于小型开关电源和稳压器。
2. **信号开关:** 用于信号开关和电流调节应用。
3. **电源管理模块:** 适用于电源管理电路，如电池管理、电源切换等。
4. **LED驱动:** 可用于LED驱动电路中，提供对LED的精确控制。
请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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