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2N7002ET1G-VB 产品详细

产品简介:

2N7002ET1G-VB是一款小功率N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于低功率电子应用。

总之,2N7002ET1G-VB是一款适用于低功率电子应用的N沟道MOSFET,特别适用于信号开关、电源开关、电路保护和逻辑电平转换等领域。它的低电流和低电压特性使其成为小型电子设备中的常见元件。

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产品参数:

型号:2N7002ET1G-VB
丝印:VB162K
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:N沟道
- 最大耐压:60V
- 最大持续电流:0.3A
- 开通电阻(RDS(ON)):2800mΩ @ 10Vgs、3000mΩ @ 4.5Vgs
- 阈值电压(Vth):1.6V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

以下是它的一些主要应用领域:

1. 信号开关:这款MOSFET可以用于信号开关电路,例如在通信设备、音频放大器和控制电路中,用于控制和管理信号通路。

2. 电源开关:在低功率电源管理模块中,2N7002ET1G-VB可以用于电源开关,用于控制电路的通断状态,以提供电源管理功能。

3. 电路保护:它还可用于电路保护,例如在过电流保护和过温度保护电路中,用于确保电路的安全性和稳定性。

4. 逻辑电平转换:由于其低阈值电压,这款MOSFET可以用于逻辑电平转换,将不同电平的信号转换为兼容的电平,例如在微控制器和数字电路中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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