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HM2N10MR-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**

HM2N10MR-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,专为高电压和高电流的应用设计。其SOT23-3封装适用于有空间限制的电路板设计。具有低导通电阻和高性能,适用于要求高效、可靠的电源和电流控制应用。

总体而言,HM2N10MR-VB适用于高电压和高电流的场景,广泛应用于电源开关、电动汽车电机控制、电源逆变器和LED驱动等领域的模块设计。

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产品参数:

**HM2N10MR-VB**

- **品牌:** VBsemi
- **型号:** HM2N10MR-VB
- **丝印:** VB1102M
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** N-Channel
- **最大电压:** 100V
- **最大电流:** 2A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 246mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- **阈值电压(Vth):** 2V

领域和模块应用:

**适用领域及模块举例:**

1. **电源开关模块:** 由于HM2N10MR-VB具有高电压和电流特性,适用于电源开关模块,确保在高压条件下稳定运行。

2. **电动汽车电机控制模块:** 在电动汽车电机控制模块中,HM2N10MR-VB可以作为关键组件,确保电机驱动模块的高效且可靠运行。

3. **电源逆变器:** 适用于电源逆变器,通过对电源进行控制,实现直流到交流的转换,可用于太阳能逆变器等领域。

4. **高性能LED驱动模块:** 在需要高性能LED驱动的应用中,HM2N10MR-VB可作为LED驱动模块的关键组件,确保稳定的电流控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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