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BSS119N-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**

BSS119N-VB是一款N-Channel沟道型场效应晶体管(FET),具有适中的电压和电流特性,适用于多个电子领域

BSS119N-VB的适用范围涵盖了多个电子模块,特别适合需要中等功率和电流控制的场合。在设计中,可根据具体需求选用该晶体管,以提高电路的性能和效率。

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产品参数:

**BSS119N-VB 详细参数说明:**

- **丝印:** VB1102M
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** N-Channel
- **最大承受电压:** 100V
- **最大电流:** 2A
- **导通电阻(RDS(ON)):** 246mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- **门源电压阈值(Vth):** 2V

领域和模块应用:

尤其适合以下领域和模块:

1. **电源开关模块:** 由于BSS119N-VB的适中电压和电流特性,可作为电源开关模块中的关键元件,实现高效的能源管理和电源控制。

2. **电机驱动模块:** 在需要控制电机的应用中,该晶体管可以用作电机驱动模块中的功率开关,实现对电机的精准控制。

3. **LED驱动模块:** 适用于LED照明领域,作为LED驱动模块中的关键元件,确保LED的稳定工作和高效能耗。

4. **开关电源控制模块:** 在开关电源中,可用作开关控制器,实现高效、可靠的电源开关。

5. **信号放大模块:** 由于其N-Channel沟道类型,可以在信号放大电路中用作放大器的关键元件,增强信号的强度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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