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FDN8601-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
FDN8601-VB是VBsemi生产的N—Channel沟道SOT23-3封装MOSFET。具有较高的最大耐压、适度最大电流和适中的导通电阻(RDS(ON))特性。

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产品参数:

产品型号: FDN8601-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB1102M
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: N—Channel
- 最大耐压: 100V
- 最大电流: 2A
- RDS(ON): 246mΩ @ VGS=10V,
--VGS=±20V
- 阈值电压 (Vth): 2V

领域和模块应用:

1. **电源开关:** 由于其N—Channel沟道的特性,可用于电源开关模块,提供高效率的功率开关控制。

2. **电源逆变器:** 在需要逆变器的应用中,FDN8601-VB可以用作开关装置,确保高效的能量转换。

3. **LED驱动:** 适用于LED照明驱动电路,提供高效的电流控制,确保稳定的亮度和长寿命。

4. **电池保护:** 在电池管理系统中,FDN8601-VB可用于电流控制和电池保护,确保电池充电和放电的安全性。

确保在使用前详细查阅产品手册和规格,以确保正确的应用和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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