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UT3P01ZG-AE2-R-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
UT3P01ZG-AE2-R-VB适用于SOT23封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其低静态电阻和适应性使其在多个应用领域中发挥作用。

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产品参数:

参数说明:
- 产品型号: UT3P01ZG-AE2-R-VB
- 丝印: VB264K
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
- 类型: P—Channel沟道
- 额定电压: -60V
- 额定电流: -0.5A
- 静态电阻: RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压: Vth = -1.7V

领域和模块应用:


适用领域举例:
1. **电源模块**:由于其低阻态电阻和适中的电压和电流特性,可用于电源开关模块。
2. **信号放大器**:在一些低功耗信号放大器电路中,UT3P01ZG-AE2-R-VB可以发挥作用。
3. **电流控制模块**:适合用于需要对电流进行精确控制的电路和模块。

这款产品的特性使其在多个电子设备的设计中都能找到应用,提高系统性能和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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