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SSM3J15F-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
SSM3J15F-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,采用SOT23封装。其主要特点包括最大漏电压为-60V,最大漏电流为-0.5A,具有低开通电阻(RDS(ON))等性能。该产品适用于需要负载开关的电路和模块。

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产品参数:

**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电压(VDS):-60V
- 最大漏电流(ID):-0.5A
- 开通电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):-1.7V

领域和模块应用:

**适用领域和示例应用:**
1. **电源管理模块:** 由于SSM3J15F-VB具有较低的开通电阻和P—Channel沟道的特性,可在电源管理模块中用作电源开关,提高整体电路的效率。

2. **电池保护回路:** 在需要对电池进行过放电保护的应用中,SSM3J15F-VB可以作为电池保护回路中的关键组件,确保电池的安全使用。

3. **低功耗电子设备:** 由于其低阈值电压和低漏电流的特性,适用于一些对功耗要求较为严格的低功耗电子设备,如便携式设备、传感器模块等。

总体而言,SSM3J15F-VB适用于需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路和模块,特别是在一些对功耗、效率和电源管理要求较高的领域中发挥着重要作用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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