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J185-T1B-VB 产品详细

产品简介:

J185-T1B-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。具有-60V最大电压和-0.5A最大电流的特性。RDS(ON)在VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;和;
VGS=±20V时分别为3000mΩ,阈值电压(Vth)为-1.7V。

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产品参数:

**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-60V
- 最大电流:-0.5A
- RDS(ON):3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):-1.7V

领域和模块应用:

**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:** 适用于电源开关,有助于实现高效的电源管理和稳定的电源输出。
2. **电池保护模块:** 可用于电池保护回路,提供可靠的过电流和过电压保护。
3. **电流控制模块:** 在需要稳定电流控制的电路中使用,确保电流在设定范围内。
4. **LED照明控制模块:** 适用于LED照明系统,实现对LED的电流控制和亮度调节。

以上是J185-T1B-VB的一些基本参数和应用示例。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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