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J168-VB 产品详细

产品简介:

J168-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,采用SOT23封装。其最大承受电压为-60V,最大漏极电流为-0.5A。在VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;和;
VGS=±20V时,RDS(ON)分别为3000mΩ,阈值电压为-1.7V。

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产品参数:

**J168-VB Transistor**

- **丝印(Silkscreen):** VB264K
- **品牌(Brand):** VBsemi
- **参数(Parameters):**
- 封装类型(Package Type): SOT23
- 沟道类型(Channel Type): P—Channel
- 最大承受电压(Maximum VDS): -60V
- 最大漏极电流(Maximum ID): -0.5A
- RDS(ON):3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压(Threshold Voltage): -1.7V

- **封装(Package):** SOT23

领域和模块应用:

**应用领域和示例:**

1. **电源开关模块:** 适用于电源开关模块,例如在电子设备中用作电源开关,以实现高效的电源管理。

2. **DC-DC变换器:** 可用于DC-DC变换器模块,有助于提高电能转换效率。

3. **电池管理系统:** 在需要P—Channel MOSFET进行电池管理的场景中,如过放电保护和充电控制。

4. **模拟信号开关:** 由于其高承受电压和较低的漏极电流,适用于模拟信号开关,用于信号放大电路。

5. **LED照明控制:** 在LED照明系统中,可用于控制LED灯的亮度和开关。

请注意,以上示例仅为参考,实际应用可能因具体设计要求而异。在设计中,请始终参考数据手册和规格说明以确保正确使用和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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