产品简介：
适用于需要 P-Channel 沟道 MOSFET 的电路设计。
- 可用于低功耗应用和电源管理系统。
文件下载
产品参数：
**VBsemi J166-VB MOSFET**
- **丝印:** VB264K
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装: SOT23
- 极性: P—Channel沟道
- 额定电压: -60V
- 额定电流: -0.5A
- RDS(ON): 3000mΩ @ VGS=10V，4000(mΩ)@VGS=4.5V；;
；
VGS=±20V
- 阈值电压 (Vth): -1.7V
领域和模块应用：
**示例应用:**
- 电源开关
- 电流控制模块
- 低功耗设备中的电流调节
注意: 请确保按照制造商提供的规格书和设计指南使用该器件。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
中文
English
返回上级页面
立即下载
