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BSS84LT1G-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
BSS84LT1G-VB 是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,适用于低功耗、小尺寸电子设备,特别是需要P—Channel沟道场效应晶体管的应用场景。

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产品参数:

具有以下详细参数:

- 封装:SOT23
- 最大承受电压:-60V
- 最大漏极电流:-0.5A
- 静态漏极-源极电阻:RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压:Vth = -1.7V

领域和模块应用:

**示例应用领域及模块:**
1. **电源管理模块:** 用于低电压、低功耗的电源开关控制。
2. **信号开关:** 在信号切换和路由控制中发挥作用,保证信号质量。
3. **电池管理:** 用于电池保护和电流控制,延长电池寿命。
4. **LED驱动:** 控制LED的开关,调整亮度。

这些特性使得 BSS84LT1G-VB 适用于各种小型便携设备和低功耗应用,如智能手机、可穿戴设备、便携式医疗设备等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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