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5HP01M-VB 产品详细

产品简介:


**沟道类型:** P—Channel,表明这是一个P沟道场效应晶体管。
- **额定电压:** -60V,表示晶体管能够承受的最大电压为-60V。
- **额定电流:** -0.5A,表示晶体管的最大额定电流为-0.5A。
- **开态电阻(RDS(ON)):** 3000mΩ@VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V,表示在给定的门源电压下,晶体管导通时的电阻为3000毫欧姆。
- **阈值电压(Vth):** -1.7V,表示晶体管开始导通的门源电压阈值。

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产品参数:

**VBsemi 5HP01M-VB**

- **丝印:** VB264K
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-0.5A
- 开态电阻(RDS(ON)):3000mΩ@VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):-1.7V

**封装:** SOT23

领域和模块应用:

5HP01M-VB适用于各种电源管理、放大和开关电路。由于是P沟道MOSFET,它在某些电源控制和逆变器设计中可能特别有用。

**举例说明:**
该器件可用于电源开关模块、功率放大器和直流-直流(DC-DC)变换器。例如,在电源管理模块中,它可以用于控制负载开关以提高效率。在放大器中,它可能用于驱动音频放大电路。在DC-DC变换器中,它可以用于实现电源的高效变换。

**注意:** 在具体应用中,请参考该器件的数据手册以获取更详细的电性能和设计信息。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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