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2SK209-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
2SK209-VB是一款P—Channel类型的MOSFET,适用于多种电路设计和应用场景。其主要特点包括较低的导通电阻和适中的漏极电流,使其在不同领域具有广泛的应用。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌: VBsemi
- 产品型号: 2SK209-VB
- 封装: SOT23
- 极性: P—Channel
- 最大漏极电压(VDS): -60V
- 最大漏极电流(ID): -0.5A
- 导通电阻(RDS(ON)): 3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;;

VGS=±20V
- 阈值电压(Vth): -1.7V

领域和模块应用:

**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:** 由于2SK209-VB具有较低的导通电阻和适中的漏极电流,它在电源管理模块中可以用于电源开关控制,有助于提高效率和稳定性。

2. **信号放大器:** 2SK209-VB可以在信号放大电路中用作放大器的关断开关,帮助实现信号的精确控制。

3. **电流控制模块:** 由于其P—Channel沟道特性,该MOSFET也适用于电流控制模块,例如电流源。

请注意,具体的应用需根据电路设计要求和参数匹配来确定。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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