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2SJ461-T2B-A-VB 产品详细

产品简介:

2SJ461-T2B-A-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管,采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介:

- **沟道类型:** P—Channel,适用于需要P型场效应晶体管的电路设计。

- **额定电压:** -60V,适合在电路中处理较低电压范围的应用。

- **额定电流:** -0.5A,适用于低电流要求的电子设备。

- **开态电阻:** RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V,具有较低的导通电阻,有助于减小功耗。

- **阈值电压:** Vth=-1.7V,提供可靠的门控特性。

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产品参数:

**产品型号:** 2SJ461-T2B-A-VB

**丝印:** VB264K

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-0.5A
- 开态电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;
VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):-1.7V

**封装:**
- SOT23

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**

该产品适用于各种需要P—Channel沟道场效应晶体管的电子设备和电路设计,例如:

1. **电源管理模块:** 由于其适用于较低电压范围,可用于电源管理模块中,帮助实现有效的电源控制。

2. **信号放大器:** 在一些信号放大器电路中,P—Channel沟道场效应晶体管可以用于特定的信号处理要求。

3. **低功耗设备:** 由于其低功耗特性,可应用于需要降低功耗的电子设备中。

请注意,具体应用需根据电路设计和要求来选择合适的场效应晶体管。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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