产品简介：
**应用简介：**
2SJ461A-T1B-A-VB适用于各种电源管理、放大和开关电路。由于是P沟道MOSFET，它在某些电源控制和逆变器设计中可能特别有用。
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产品参数：
**VBsemi 2SJ461A-T1B-A-VB**
- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-60V
- 额定电流：-0.5A
- 开态电阻（RDS(ON)）：3000mΩ@VGS=10V，4000(mΩ)@VGS=4.5V；
VGS=±20V
- 阈值电压（Vth）：-1.7V
**封装：** SOT23
**详细参数说明：**
- **沟道类型：** P—Channel，指明这是一个P沟道场效应晶体管。
- **额定电压：** -60V，表示晶体管可承受的最大电压为-60V。
- **额定电流：** -0.5A，表示晶体管的最大额定电流为-0.5A。
- **开态电阻（RDS(ON)）：** 3000mΩ@VGS=10V，4000(mΩ)@VGS=4.5V；
VGS=±20V，表示在给定的门源电压下，晶体管导通时的电阻为3000毫欧姆。
- **阈值电压（Vth）：** -1.7V，表示晶体管开始导通的门源电压阈值。
领域和模块应用：
**举例说明：**
该器件可用于电源开关模块、功率放大器和直流-直流（DC-DC）变换器。例如，在电源管理模块中，它可以用于控制负载开关以提高效率。在放大器中，它可能用于驱动音频放大电路。在DC-DC变换器中，它可以用于实现电源的高效变换。
**注意：** 在具体应用中，请参考该器件的数据手册以获取更详细的电性能和设计信息。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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