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2SJ210-T1B-A-VB 产品详细

产品简介:

2SJ210-T1B-A-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和一些特定应用中。

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产品参数:

型号:2SJ210-T1B-A-VB
丝印:VB264K
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电压(Vds):-60V
- 最大漏极电流(Id):-0.5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):3000mΩ @ VGS=10V,4000(mΩ)@VGS=4.5V;;

VGS=±20V
- 阈值电压(Vth):-1.7V

封装:SOT23

领域和模块应用:

领域模块应用:
1. **低功耗模块:** 由于其较低的漏极电流和较高的漏极-源极电阻,适用于低功耗模块设计,如便携式电子设备、传感器节点等。

2. **电源开关模块:** 适用于电源开关电路设计,能够提供可靠的功率开关和电源控制功能。

3. **放大器输出级:** 在放大器输出级电路中,2SJ210-T1B-A-VB可以用于实现高性能P-Channel MOSFET的放大和驱动功能。

4. **电流源模块:** 由于其低漏电流特性,可用于电流源电路设计,如电流源、电流放大器等。

5. **模拟开关电路:** 适用于一些需要模拟开关功能的电路设计,如模拟开关、模拟开关电源等。

请注意,以上是一些典型的应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成2SJ210-T1B-A-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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