2SJ185-T1B-VB - VBsemi MOS管制造商

2SJ185-T1B-VB 产品详细

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产品简介：

**详细参数说明:**
2SJ185-T1B-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装，具有以下特性：最大耐压为-60V，最大电流为-0.5A。开通电阻在不同门源电压下分别为3000mΩVGS=10V，4000(mΩ)@VGS=4.5V；
VGS=±20V）。阈值电压为-1.7V。

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产品参数：

**2SJ185-T1B-VB Transistor**

- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23
- 极性：P—Channel沟道
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-0.5A
- 开通电阻：RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V，4000(mΩ)@VGS=4.5V；
VGS=±20V
- 阈值电压：Vth=-1.7V

- **封装：** SOT23

领域和模块应用：

2SJ185-T1B-VB适用于多种电子设备和模块，包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道特性，可用于电源管理模块，实现高效的电流控制和功耗管理。

2. **信号放大器：** 在信号放大电路中，通过其低阈值电压和适度的电流能力，提供可靠的信号放大功能。

3. **电池保护电路：** 适用于电池保护电路，实现对电池充放电的有效控制。

请注意，以上仅为示例，实际应用需根据具体设计要求和电路条件进行调整。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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