UT3N06G-AE3-R-VB - VBsemi MOS管制造商

UT3N06G-AE3-R-VB 产品详细

应用简介：UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。
其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-N-Channel	60V	20（±V）	1.7V	4A		86(mΩ)	75(mΩ)

UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻75mΩ@10V，86mΩ@VGS=4.5V；，96mΩ@4.5V，门源电压范围±20V(±V)，阈值电压1.7V，封装：SOT23-3。

适用领域与模块：适用于电源开关、电机驱动和LED驱动等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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